三星此前通過活動介紹了未來將采用的內(nèi)存和儲存解決方案,并表示8.5Gbps LPDDR5X內(nèi)存和GDDR7顯存正在路上。目前,前者已經(jīng)量產(chǎn)并準備投入使用,而GDDR7顯存的更多技術規(guī)格信息目前也已經(jīng)在推特上被公開。
根據(jù)推特@IanCutress發(fā)布的PPT,新一代GDDR7顯存的帶寬和密度將是當前GDDR6的兩倍。GDDR7顯存將采用PAM3信令,速率可達36Gbps而GDDR6使用的是NRZ或PAM2信令,數(shù)據(jù)速率達14~24Gbps。值得一提的是,英特爾此前公布的全新雷電標準和USB4 v2.0也將使用PAM3信令。
據(jù)介紹,傳統(tǒng)的NRZ信令每周期可提供1bit的傳輸速率,而PAM4可實現(xiàn)每周期2bit的傳輸速率,而PAM3則使用更高的頻率,從而實現(xiàn)每周期3bit傳輸速率。三星表示,PAM3比NRZ信令的效率高出25%,GDDR7的能效將提高25%。
三星表示,新一代GDDR7顯存可帶來36Gbps的數(shù)據(jù)速率,相比GDDR6足足高出一倍。采用256bit位寬的GPU在使用GDDR7顯存時將達到1152GB/s的內(nèi)存帶寬,而如果是384bit位寬的GPU則可達到1728GB/s,128bit位寬顯存也可達到576GB/s,比起GDDR6帶來不錯的提升。