本報記者 吳文婧 見習記者 馮思婕

一直以來，全球導電型碳化硅襯底市場被CREE等國際廠商主導，中國亟待實現(xiàn)自主創(chuàng)新，提高碳化硅襯底材料的國產化率。近年來，露笑科技、三安光電、天岳先進、東尼電子等一批國內企業(yè)正迎頭趕上。

6月9日，露笑科技公告，公司非公開發(fā)行股票申請獲證監(jiān)會核準批復，此次募集資金將投向第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目、大尺寸碳化硅襯底片研發(fā)中心項目等。

“目前公司6英寸碳化硅襯底片已經形成銷售，進入產業(yè)化放量階段，公司此前在碳化硅襯底片領域布局的成果正逐漸顯現(xiàn)?！甭缎萍枷嚓P負責人告訴《證券日報》記者，“公司致力于推動碳化硅襯底材料國產化，并希望成為國內最早一批規(guī)模化供應6英寸碳化硅襯底的廠商，相信這一愿景不久就能夠實現(xiàn)?！?/p>

規(guī)劃6英寸襯底年產能24萬片

提前鎖定下游客戶

據(jù)悉，露笑科技本次非公開發(fā)行募投項目達產后，將新增年產24萬片6英寸襯底片的生產能力，從而實現(xiàn)對下游客戶的穩(wěn)定批量供應。

就露笑科技6英寸襯底片目前的產能情況，前述負責人向《證券日報》記者表示：“目前公司已有280臺長晶爐到位，可實現(xiàn)每月數(shù)千片的供貨能力?！?/p>

值得一提的是，露笑科技目前生產碳化硅襯底片所用設備也已經100%國產化，公司已經根據(jù)工藝的改進對長晶爐進行了三代的優(yōu)化。

露笑科技方面表示，公司碳化硅產品應用核心領域為光伏和汽車電子，6英寸碳化硅襯底片目前主要針對下游肖特基二極管（SBD）應用場景，現(xiàn)階段，SBD國產化正在加速進行中。

浙江大學管理學院特聘教授錢向勁向《證券日報》記者表示：“國家產業(yè)政策的支持促進了寬禁帶半導體材料技術瓶頸的突破，國內產業(yè)鏈公司的自主研發(fā)能力增強，行業(yè)整體競爭力提升，產業(yè)格局也隨之不斷變化。露笑科技加快導電性大尺寸襯底規(guī)模產業(yè)化進程，有望提升其市場占有率?！?/p>

事實上，我國企業(yè)自主規(guī)?；?英寸碳化硅襯底具有重要意義。作為寬禁帶半導體器件制造的關鍵原材料，碳化硅襯底是產業(yè)鏈中關鍵的戰(zhàn)略資源，而由于制造的技術門檻較高，國內能夠向企業(yè)用戶穩(wěn)定供應6英寸碳化硅襯底的生產廠商相對有限，導致原材料供應受到較大程度的制約，下游市場出現(xiàn)了供不應求的局面。

“目前碳化硅市場是一個供方主導的市場，毛利、利潤率等相對較高。國外襯底片已經開始漲價，國內碳化硅襯底供給將更加緊張?！惫厩笆鲐撠熑伺袛喾Q，“目前行業(yè)總體上呈現(xiàn)供不應求的狀態(tài)。伴隨著國家各項鼓勵扶持政策的出臺，未來的發(fā)展空間可觀?！?/p>

據(jù)露笑科技2022年一季報中披露，此前于2021年11月24日，公司旗下控股子公司合肥露笑半導體材料有限公司與東莞市天域半導體科技有限公司簽訂了《戰(zhàn)略合作協(xié)議》，后者將優(yōu)先選用露笑科技生產的6英寸導電型碳化硅襯底，未來三年露笑科技將為其預留對應產能不少于15萬片。

碳化硅襯底片國產化加速

劍指行業(yè)先進產能

據(jù)IHS數(shù)據(jù)，2023年全球碳化硅器件需求有望達16.44億美元，2017年-2023年復合增速約為26.6%;下游主要應用場景包含EV、快充樁、UPS電源（通信）、光伏、軌道交通以及航天軍工等領域，其中電動車行業(yè)有望迎來快速爆發(fā)，通信、光伏等市場空間較大。伴隨碳化硅器件成本下降，全生命周期成本性能優(yōu)勢有望不斷放大，潛在替代空間巨大。

目前，碳化硅襯底片的應用以6英寸為主流，而各大主要廠商已經開始加快8英寸襯底片開發(fā)的步伐。在國際市場上，有WolfSpeed、II-VI、羅姆等頭部大廠完成了8英寸的研發(fā)。

錢向勁指出：“隨著6英寸襯底片相關加工技術完全成熟，成本、價格和供應能力都將邁上新的臺階。而面對國外競爭廠商的領先優(yōu)勢，國內廠商更需要結合半導體產業(yè)下游產品需求以及碳化硅材料行業(yè)的技術難點和技術路線，積極推進更大尺寸碳化硅襯底片技術研發(fā)以及現(xiàn)有生產工藝的技術改進，縮小與國際廠商的差距?！?/p>

據(jù)公開資料顯示，東莞市天域半導體科技有限公司正在籌備8英寸碳化硅晶圓的外延生長；北京天科合達半導體股份有限公司也已啟動8英寸碳化硅單晶研究。露笑科技此前宣布將與東莞天域共同協(xié)作在6英寸及以上規(guī)格碳化硅導電襯底方面進行產業(yè)化應用技術研發(fā)合作。

露笑科技相關負責人向記者透露：“公司有研發(fā)8英寸襯底片的計劃安排，此次募投項目研發(fā)中心就將重點推進8英寸碳化硅襯底片的技術研發(fā)工作。目前我們所有設備都是6-8英寸片兼容。切磨拋設備布局與WolfSpeed同步?！?/p>

北京億特陽光新能源總裁祁海珅對《證券日報》記者表示：“碳化硅作為第三代半導體的發(fā)展未來是非常好的，降低碳化硅襯底技術工藝的成本、提高供應量、緩解供需矛盾，才是碳化硅大規(guī)模應用的核心要素，如果能大幅縮小與硅基成本的差距，碳化硅襯底技術在高電壓、大電流等功率器件領域的應用會非常具有潛力、替代性很強，未來，彌補先進產能的缺口將是行業(yè)發(fā)展的趨勢?！?/p>

（編輯 孫倩）