臺灣《聯(lián)合報》6月14日報道稱，臺積電于美國當?shù)貢r間16日舉辦2022年北美技術(shù)論壇，首度推出采用納米片晶體管之下一世代先進2納米（N2）制程技術(shù)，以及支援N3與N3E制程的獨特TSMC FINFLEX技術(shù)，外界推測其將成為全球第1家率先提供2納米制程代工服務的晶圓廠。
臺積電在北美技術(shù)論壇揭示以下主要技術(shù)焦點：支援N3及N3E的TSMC FINFLEX技術(shù)。這項技術(shù)平臺，除了涵蓋臺積電即將于今年下半年量產(chǎn)的3納米（N3）技術(shù)，并將搭配創(chuàng)新的 TSMC FINFLEX架構(gòu)。
據(jù)了解，TSMC FINFLEX技術(shù)，是在開發(fā)3納米時，同時讓2納米（N2）獲得重大突破。這項技術(shù)提供多樣化的標準元件選擇：3-2鰭結(jié)構(gòu)支援超高效能、2-1 鰭結(jié)構(gòu)支援最佳功耗效率與晶體管密度、2-2鰭結(jié)構(gòu)則是支援平衡兩者的高效效能。
臺積電表示，TSMC FINFLEX架構(gòu)，能夠精準協(xié)助客戶完成符合其需求的系統(tǒng)單晶片設(shè)計，各功能區(qū)塊采用最優(yōu)化的鰭結(jié)構(gòu)，支援所需的效能、功耗與面積，同時整合至相同的芯片上。
臺積電強調(diào)，在相同功耗下，2納米的速度增快10~15%，或在相同速度下，功耗降低25~30%，開啟了高效效能的新紀元。
2納米采用納米片晶體管架構(gòu)，使其效能及功耗效率提升一個世代，協(xié)助臺積客戶實現(xiàn)下一代產(chǎn)品的創(chuàng)新。除行動運算的基本版本，2納米技術(shù)平臺也涵蓋高效能版本及完備的小芯片（chiplet）整合解決方案，并預定2025年開始量產(chǎn)。
除臺積電外，三星和英特爾也在布局2納米芯片制造。其中，三星芯片代工業(yè)務的高管曾在去年10月透露，該公司有望在2025 年下半年使用其2納米制造工藝量產(chǎn)芯片。英特爾則在今年4月透露，預計下一代Intel 18A制程（相當于1.8納米）將提前在2024年下半年投產(chǎn)。
