目前，臺(tái)積電在全球晶圓代工行業(yè)的優(yōu)勢(shì)非常大，不僅芯片制造技術(shù)上一直領(lǐng)先，市場(chǎng)份額上也占半數(shù)以上。尤其高端EUV晶圓的份額更大，臺(tái)積電占據(jù)全球62%。
這當(dāng)然離不開(kāi)ASML光刻機(jī)的支持，先進(jìn)EUV光刻機(jī)共出貨143臺(tái)，臺(tái)積電就買走一半左右。不過(guò)，據(jù)說(shuō)新一代EUV光刻機(jī)首發(fā)不是臺(tái)積電，具體情況真是如此嗎？
臺(tái)積電宣布光刻機(jī)消息
現(xiàn)在我們所說(shuō)的EUV光刻機(jī)，具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的透鏡，可提供13.5 nm分辨率，主要用于7-3 nm工藝，但生產(chǎn)3nm工藝就需要引入雙重或多重曝光技術(shù)。
要知道，臺(tái)積電之前就是基于雙重或多重曝光技術(shù)，用先進(jìn)的DUV光刻機(jī)做出了7 nm。但由于EUV光刻機(jī)生產(chǎn)7nm-5 nm工藝單模就可以，所以用EUV替代了。
原因就是引入雙重或多重曝光技術(shù)后，產(chǎn)品良率和制造成本等將有很大的挑戰(zhàn)。
因此，對(duì)于晶圓代工廠來(lái)說(shuō)，還是盡可能避免使用雙重或多重曝光技術(shù)。但目前3nm工藝量產(chǎn)已提上日程，臺(tái)積電計(jì)劃于8月份量產(chǎn)，只能用現(xiàn)有EUV加曝光技術(shù)。
因?yàn)锳SML的新一代High-NA EUV 光刻機(jī)還未量產(chǎn)，該EUV具有 0.55 NA（高 NA）的透鏡，可提供8nm分辨率，可直接單模生產(chǎn)3nm，還可用于接下來(lái)的2nm。
之前消息，該光刻機(jī)首發(fā)被英特爾拿下，但近日臺(tái)積電宣布將于2024年擁有。
關(guān)于新一代EUV光刻機(jī)
原來(lái)的EUV光刻機(jī)，僅技術(shù)研發(fā)就用了10多年時(shí)間，雖說(shuō)從2012年開(kāi)始計(jì)算出貨，但真正大規(guī)模進(jìn)入產(chǎn)線應(yīng)用從2017年開(kāi)始，因此10年時(shí)間才出貨143臺(tái)EUV。
不過(guò)有了這個(gè)基礎(chǔ)，新一代High-NA EUV的技術(shù)研發(fā)就快了許多。但雖然技術(shù)已經(jīng)突破，德國(guó)蔡司還專門為其打造了更高級(jí)別的光學(xué)系統(tǒng)，但目前也只是正在生產(chǎn)中。
預(yù)計(jì)2023年完成首臺(tái)原型機(jī)，但先要用于研發(fā)，2024年才能夠開(kāi)始正式出貨。
High-NA EUV光刻機(jī)技術(shù)雖然更先進(jìn)，但成本也更高，每臺(tái)將超過(guò)4億美元。但即使這樣，似乎也不缺買家。據(jù)ASML最近披露的消息顯示，他們已收到5個(gè)訂單。
按原來(lái)的情況，ASML的光刻機(jī)一直傾向臺(tái)積電，先進(jìn)光刻機(jī)的首發(fā)也是給臺(tái)積電。但意外的是，英特爾卻拿下了首發(fā)，將用于18A1.8 nm節(jié)點(diǎn)，計(jì)劃于2025年使用。
然而，臺(tái)積電近日表示2024年將擁有High-NA EUV，可見(jiàn)使用時(shí)間早于英特爾。
關(guān)于原來(lái)的EUV光刻機(jī)
雖然新一代High-NA EUV光刻機(jī)更先進(jìn)，但真正大規(guī)模應(yīng)用于產(chǎn)線，應(yīng)該是在2025年。那么，這幾年原來(lái)的EUV光刻機(jī)依然很重要，就像之前的DUV也有需求。
況且，現(xiàn)在7-5nm高端芯片近幾年依然會(huì)是主流。因此，原來(lái)的EUV需求還很大，并且競(jìng)爭(zhēng)也很激烈。大家應(yīng)該都有聽(tīng)說(shuō)，三星為了爭(zhēng)取更多EUV，高層親赴ASML。
據(jù)媒體消息，三星高層日前已經(jīng)和ASML總裁進(jìn)行了溝通，目的就是爭(zhēng)取EUV。
現(xiàn)在能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)的只有ASML，它將EUV賣給誰(shuí)家，誰(shuí)就能夠擁有更多的高端芯片產(chǎn)能，誰(shuí)的晶圓代工實(shí)力也就更強(qiáng)，這也是三星極力爭(zhēng)取EUV的原因所在。
近日，相關(guān)消息顯示，三星經(jīng)過(guò)爭(zhēng)取，今年有可能獲得18臺(tái)EUV，去年為15臺(tái)。
可見(jiàn)，即使三星高層親赴ASML總部，此次也就多爭(zhēng)取了3臺(tái)。而據(jù)說(shuō)，臺(tái)積電去年為20臺(tái)，今年至少為22臺(tái)。這樣的話，臺(tái)積電獲得的EUV數(shù)量依然高于三星。
之前，看到新一代EUV首發(fā)給了英特爾，我們都認(rèn)為ASML開(kāi)始扭轉(zhuǎn)支持方向。但從新一代EUV出貨和原來(lái)EUV出貨情況來(lái)看，我們想錯(cuò)了，臺(tái)積電依然有優(yōu)勢(shì)。
High-NA EUV至少是同步出貨，第一臺(tái)和第二臺(tái)區(qū)別不大，關(guān)鍵看誰(shuí)應(yīng)用得快了！
