今日熱點(diǎn)
1. 國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)5月出貨量降9.4%，大幅收窄
2. 庫(kù)存持續(xù)升高，Q3 DRAM價(jià)格恐下跌3%~8%
3. 先進(jìn)邏輯芯片與新世代存儲(chǔ)產(chǎn)能擴(kuò)張，特殊氣體供應(yīng)吃緊
4. 韓企吐槽政府太官僚，建芯片廠用時(shí)漫長(zhǎng)
5. 三星追臺(tái)積電，2025年量產(chǎn)2nm制程
01
國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)5月出貨量降9.4%，大幅收窄
昨（20）日，中國(guó)信通院發(fā)布的《5月國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)運(yùn)行分析報(bào)告》指出，今年5月，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)手機(jī)出貨量2080.5萬(wàn)部，同比下降9.4%。這是中國(guó)信通院此一系列報(bào)告中，跌幅連續(xù)第2個(gè)月的收窄。
圖1，2022年中國(guó)國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)銷量同比跌幅月度數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)來(lái)源：中國(guó)信通院，閃德資訊制圖
今年以來(lái)，國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)受多方綜合因素影響，出貨量同比持續(xù)負(fù)增長(zhǎng)。從圖1可以看出，到目前為止，3月的同比跌幅達(dá)到最高的40.5%，超過(guò)4成的跌幅，不可謂不驚人。4月、5月，同比跌幅開(kāi)始顯著收窄，特別是5月，跌幅僅為3月峰值的1/4不到，4月的1/3不到。
手機(jī)市場(chǎng)作為重要的存儲(chǔ)相關(guān)市場(chǎng)，其出貨量跌幅持續(xù)收窄，對(duì)于當(dāng)前跌跌不休的存儲(chǔ)市場(chǎng)多少算是一個(gè)好消息。
不過(guò)，單月跌幅持續(xù)收窄跌幅，雖然算是一個(gè)好消息。但或者更值得關(guān)注的是累計(jì)銷量的跌幅，它也開(kāi)始收窄了。
圖2，2022年中國(guó)國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)累計(jì)銷量同比跌幅數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)來(lái)源：中國(guó)信通院，閃德資訊制圖
如圖2所示，累計(jì)銷量的跌幅，于4月達(dá)到最高30.3%的峰值，這一方面在于3月40.5%的跌幅確實(shí)沒(méi)那么容易收住，另一方面，4月的34.2%跌幅也同樣高于累計(jì)、攤均后的數(shù)據(jù)。好在5月單月9.4%的跌幅大幅收窄，前5個(gè)月的累計(jì)跌幅也就一并得到了收窄。
若4月、5月國(guó)內(nèi)手機(jī)出貨量的顯著收窄，意味著國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)逐步走向復(fù)蘇，甚至能在接下來(lái)的6、7、8、9……月走向正向的同比增長(zhǎng)，那無(wú)疑將對(duì)包括存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)重大的利好。
當(dāng)然，我們也需要看到，存儲(chǔ)市場(chǎng)所面對(duì)的不利因素，遠(yuǎn)不止于手機(jī)產(chǎn)業(yè)的不景氣。但無(wú)疑，我們也可以基于每一個(gè)相關(guān)行業(yè)的利好因素，構(gòu)筑我們對(duì)行業(yè)未來(lái)的信心。
02
庫(kù)存持續(xù)升高，Q3 DRAM價(jià)格恐下跌3%~8%
據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)報(bào)告，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場(chǎng)仍未擺脫俄烏戰(zhàn)事、高通脹導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫(kù)存上升，成為第三季DRAM價(jià)格下跌3%~ 8%的主因，且不排除部分產(chǎn)品在如PC與智能手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過(guò)8%跌幅。
PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時(shí)也造成DRAM庫(kù)存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫(kù)存，采購(gòu)力道尚難回溫。同時(shí)，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過(guò)于求，因此即便PC需求不振，但供應(yīng)商仍難以減少PC DRAM供給量，造成供貨位元數(shù)持續(xù)小幅季增，故預(yù)估PC DRAM價(jià)格將跌3%~8%。
服務(wù)器DRAM方面，現(xiàn)下客戶端的庫(kù)存7~8周略為偏高，而服務(wù)器領(lǐng)域目前又為原廠銷售的主要出?？冢蛻舳说奈辉枨罅咳圆蛔阋酝耆耐镀吭黾优c制程演進(jìn)所帶來(lái)的位元產(chǎn)出。加上消費(fèi)類別的PC DRAM及手機(jī)DRAM下半年需求不明朗，迫使原廠將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至服務(wù)器DRAM，導(dǎo)致供應(yīng)商必須透過(guò)部分銷售策略如兩季度的價(jià)格綁定、提高在手庫(kù)存壓抑價(jià)格跌幅，預(yù)測(cè)第三季服務(wù)器DRAM將再下跌0~5%。
移動(dòng)設(shè)備DRAM方面，由于終端消費(fèi)市場(chǎng)銷售仍不如預(yù)期，迫使原廠逐季微幅調(diào)降移動(dòng)設(shè)備DRAM生產(chǎn)比重，并轉(zhuǎn)至服務(wù)器DRAM，借此穩(wěn)定市場(chǎng)庫(kù)存以及價(jià)格。但由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)挹注，移動(dòng)設(shè)備DRAM位元供給量并沒(méi)有因此明顯下降，加上單機(jī)平均搭載容量又未能顯著提升，導(dǎo)致供過(guò)于求狀態(tài)持續(xù)，跌幅會(huì)較第二季擴(kuò)大至3%~8%。在歷經(jīng)第二季智能手機(jī)需求低迷，品牌庫(kù)存又急待消耗的狀況，導(dǎo)致原廠出貨遲滯，在營(yíng)收、庫(kù)存等雙重壓力夾擊下，對(duì)于價(jià)格將釋出更大讓價(jià)意愿，力求6月底前先行談妥部分價(jià)格并出貨以解燃眉之急。
顯卡DRAM方面，由于買方面臨庫(kù)存增加及后續(xù)渠道需求的不確定性，市場(chǎng)拉貨動(dòng)能疲弱。盡管美光第三季僅剩零星GDDR6 8Gb供給，但韓廠投片量增加及需求弱化，目前顯卡DRAM供給無(wú)虞，也因此造成第三季價(jià)格仍小跌0~5%。需求面疲弱算是導(dǎo)致本季顯卡DRAM價(jià)格不易上漲的關(guān)鍵，惟須關(guān)注原廠態(tài)度，若原廠認(rèn)為第三季價(jià)格下跌也無(wú)法刺激需求，仍會(huì)盡可能力守價(jià)格持平。
消費(fèi)端DRAM方面，由于俄烏戰(zhàn)事、高通脹等因素沖擊消費(fèi)性電子買氣，屬消費(fèi)端DRAM相關(guān)應(yīng)用的筆電、電視出貨面臨下修，加上DDR3因價(jià)格屬于相對(duì)高點(diǎn)，買方在庫(kù)存與成本壓力之下，購(gòu)買力道明顯收斂，預(yù)估DDR3與DDR4需求將同步下滑，市場(chǎng)拉貨動(dòng)能持續(xù)走弱。而韓廠對(duì)于退出DDR3供給的計(jì)劃不變，但下半年仍有中國(guó)大陸廠及臺(tái)廠新增產(chǎn)能開(kāi)出。在需求走弱，供給增加的情形下，賣方的議價(jià)優(yōu)勢(shì)不再，難以支撐第三季消費(fèi)端DRAM價(jià)格，預(yù)測(cè)DDR3與DDR4價(jià)格將季減3%~8%。
03
先進(jìn)邏輯芯片與新世代存儲(chǔ)產(chǎn)能擴(kuò)張，特殊氣體供應(yīng)吃緊
據(jù)商業(yè)和技術(shù)資訊電子材料咨詢機(jī)構(gòu)《TECHCET》報(bào)告顯示，2021年全球電子氣體市場(chǎng)營(yíng)收達(dá)63億美元，預(yù)計(jì)2022年再成長(zhǎng)8%，到2026年年復(fù)合成長(zhǎng)率高達(dá)9%。成長(zhǎng)主因歸功于特種氣體需求，隨著領(lǐng)先邏輯晶片和新世代存儲(chǔ)需求不斷增加，蝕刻、沉積、真空腔室清潔及其他應(yīng)用的特種氣體需求將越來(lái)越多。
近期氦、氖等關(guān)鍵工業(yè)氣體有供應(yīng)問(wèn)題，長(zhǎng)遠(yuǎn)看隨著產(chǎn)業(yè)需求增加，三氟化氮(NF3)、六氟化鎢(WF6) 等氣體供需平衡可能逐漸改變。 另外俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)使工業(yè)氣體供應(yīng)也面臨壓力，俄羅斯的氦氣和稀有氣體出口禁令將延長(zhǎng)，造成氦和氖等稀有氣體供應(yīng)短缺。戰(zhàn)爭(zhēng)只是氦氣短缺問(wèn)題部分原因，還有設(shè)備維護(hù)、運(yùn)輸物流、其他氦氣產(chǎn)區(qū)供應(yīng)分配等都加劇供應(yīng)鏈吃緊。
04
韓企吐槽政府太官僚，建芯片廠用時(shí)漫長(zhǎng)
據(jù)韓媒《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，數(shù)名業(yè)界人士批評(píng)，韓國(guó)政府的官僚制度拖慢半導(dǎo)體建廠速度，這對(duì)競(jìng)爭(zhēng)力來(lái)說(shuō)是一大問(wèn)題，因?yàn)榭焖贁U(kuò)產(chǎn)、滿足客戶需求的能力，是能否贏得訂單關(guān)鍵。
在韓國(guó)，芯片制造商獲得中央或地方政府核可后，還得取得打造芯片廠基礎(chǔ)設(shè)施的執(zhí)照，過(guò)程得拖上好幾年。臺(tái)積電去年10月意外宣布要赴日本建廠，今年4月已在熊本縣動(dòng)工，而Sony Semiconductor Solutions先進(jìn)芯片制造廠也將在2024年底投產(chǎn)。
相較之下，三星電子雖早在2010年就已選定要在韓國(guó)京畿道平澤市建廠，但耗時(shí)5年才終于開(kāi)工。平澤市一廠直到2017年7月才開(kāi)始量產(chǎn)。即便2015年已開(kāi)工，平澤市一廠依舊遇到許多阻礙，舉例來(lái)說(shuō)，三星在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)廠房需要的發(fā)電設(shè)施時(shí)，遭廠址附近居民群起抗議。
另外，SK海力士2019年宣布一項(xiàng)大規(guī)模半導(dǎo)體聚落的興建規(guī)劃后，也等了兩年才終于在2021年3月獲得龍仁市政府批準(zhǔn)。環(huán)評(píng)是拖累進(jìn)度主因，SK海力士仍在檢測(cè)周遭地區(qū)、并設(shè)法與居民達(dá)成協(xié)議。龍仁半導(dǎo)體聚落預(yù)料將在2025年興建第一座芯片廠，2027年開(kāi)始運(yùn)作。
05
三星追趕臺(tái)積電，2025年量產(chǎn)2nm制程
據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，晶圓代工龍頭臺(tái)積電公布2納米制程2025年開(kāi)始量產(chǎn)之后，三星為了迎頭趕上，正加碼押注3納米環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）技術(shù)，將在未來(lái)三年完成建立GAA技術(shù)的3納米芯片制程，并在2025年量產(chǎn)以GAA制程為基礎(chǔ)的2納米芯片，屆時(shí)兩強(qiáng)將同步以最先進(jìn)的2納米制程搶市。
GAA是改善半導(dǎo)體電晶體結(jié)構(gòu)的下一代制程技術(shù)，讓閘極能夠接觸電晶體的四個(gè)側(cè)面，相較于當(dāng)前鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）只能接觸電晶體三個(gè)側(cè)面的情況，GAA結(jié)構(gòu)可比FinFET制程更精準(zhǔn)控制電流。三星正押注把GAA技術(shù)應(yīng)用到3納米制程，以便追趕臺(tái)積電。
專家指出，由于臺(tái)積電預(yù)料將從2納米芯片開(kāi)始導(dǎo)入GAA制程，約2026年推出第一款以GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的2納米芯片產(chǎn)品，因此若三星在以GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的3納米芯片制程良率穩(wěn)定，能夠改變晶圓代工市場(chǎng)全局，未來(lái)三年將是三星的關(guān)鍵期。
