今日熱點(diǎn)

1. 國內(nèi)手機(jī)市場5月出貨量降9.4%，大幅收窄

2. 庫存持續(xù)升高，Q3 DRAM價格恐下跌3%~8%

3. 先進(jìn)邏輯芯片與新世代存儲產(chǎn)能擴(kuò)張，特殊氣體供應(yīng)吃緊

4. 韓企吐槽政府太官僚，建芯片廠用時漫長

5. 三星追臺積電，2025年量產(chǎn)2nm制程

01

國內(nèi)手機(jī)市場5月出貨量降9.4%，大幅收窄

昨（20）日，中國信通院發(fā)布的《5月國內(nèi)手機(jī)市場運(yùn)行分析報告》指出，今年5月，國內(nèi)市場手機(jī)出貨量2080.5萬部，同比下降9.4%。這是中國信通院此一系列報告中，跌幅連續(xù)第2個月的收窄。

圖1，2022年中國國內(nèi)手機(jī)市場銷量同比跌幅月度數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)來源：中國信通院，閃德資訊制圖

今年以來，國內(nèi)手機(jī)市場受多方綜合因素影響，出貨量同比持續(xù)負(fù)增長。從圖1可以看出，到目前為止，3月的同比跌幅達(dá)到最高的40.5%，超過4成的跌幅，不可謂不驚人。4月、5月，同比跌幅開始顯著收窄，特別是5月，跌幅僅為3月峰值的1/4不到，4月的1/3不到。

手機(jī)市場作為重要的存儲相關(guān)市場，其出貨量跌幅持續(xù)收窄，對于當(dāng)前跌跌不休的存儲市場多少算是一個好消息。

不過，單月跌幅持續(xù)收窄跌幅，雖然算是一個好消息。但或者更值得關(guān)注的是累計銷量的跌幅，它也開始收窄了。

圖2，2022年中國國內(nèi)手機(jī)市場累計銷量同比跌幅數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)來源：中國信通院，閃德資訊制圖

如圖2所示，累計銷量的跌幅，于4月達(dá)到最高30.3%的峰值，這一方面在于3月40.5%的跌幅確實(shí)沒那么容易收住，另一方面，4月的34.2%跌幅也同樣高于累計、攤均后的數(shù)據(jù)。好在5月單月9.4%的跌幅大幅收窄，前5個月的累計跌幅也就一并得到了收窄。

若4月、5月國內(nèi)手機(jī)出貨量的顯著收窄，意味著國內(nèi)手機(jī)市場逐步走向復(fù)蘇，甚至能在接下來的6、7、8、9……月走向正向的同比增長，那無疑將對包括存儲產(chǎn)業(yè)在內(nèi)的相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來重大的利好。

當(dāng)然，我們也需要看到，存儲市場所面對的不利因素，遠(yuǎn)不止于手機(jī)產(chǎn)業(yè)的不景氣。但無疑，我們也可以基于每一個相關(guān)行業(yè)的利好因素，構(gòu)筑我們對行業(yè)未來的信心。

02

庫存持續(xù)升高，Q3 DRAM價格恐下跌3%~8%

據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu)報告，盡管有旺季效應(yīng)和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍未擺脫俄烏戰(zhàn)事、高通脹導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求疲弱的負(fù)面影響，進(jìn)而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3%~ 8%的主因，且不排除部分產(chǎn)品在如PC與智能手機(jī)領(lǐng)域恐出現(xiàn)超過8%跌幅。

PC DRAM方面，在需求持續(xù)走弱情況下，引發(fā)PC OEMs下修整年出貨目標(biāo)，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調(diào)整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產(chǎn)業(yè)仍處于供過于求，因此即便PC需求不振，但供應(yīng)商仍難以減少PC DRAM供給量，造成供貨位元數(shù)持續(xù)小幅季增，故預(yù)估PC DRAM價格將跌3%~8%。

服務(wù)器DRAM方面，現(xiàn)下客戶端的庫存7~8周略為偏高，而服務(wù)器領(lǐng)域目前又為原廠銷售的主要出?？?，但客戶端的位元需求量仍不足以完全消耗投片量增加與制程演進(jìn)所帶來的位元產(chǎn)出。加上消費(fèi)類別的PC DRAM及手機(jī)DRAM下半年需求不明朗，迫使原廠將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至服務(wù)器DRAM，導(dǎo)致供應(yīng)商必須透過部分銷售策略如兩季度的價格綁定、提高在手庫存壓抑價格跌幅，預(yù)測第三季服務(wù)器DRAM將再下跌0~5%。

移動設(shè)備DRAM方面，由于終端消費(fèi)市場銷售仍不如預(yù)期，迫使原廠逐季微幅調(diào)降移動設(shè)備DRAM生產(chǎn)比重，并轉(zhuǎn)至服務(wù)器DRAM，借此穩(wěn)定市場庫存以及價格。但由于制程轉(zhuǎn)進(jìn)挹注，移動設(shè)備DRAM位元供給量并沒有因此明顯下降，加上單機(jī)平均搭載容量又未能顯著提升，導(dǎo)致供過于求狀態(tài)持續(xù)，跌幅會較第二季擴(kuò)大至3%~8%。在歷經(jīng)第二季智能手機(jī)需求低迷，品牌庫存又急待消耗的狀況，導(dǎo)致原廠出貨遲滯，在營收、庫存等雙重壓力夾擊下，對于價格將釋出更大讓價意愿，力求6月底前先行談妥部分價格并出貨以解燃眉之急。

顯卡DRAM方面，由于買方面臨庫存增加及后續(xù)渠道需求的不確定性，市場拉貨動能疲弱。盡管美光第三季僅剩零星GDDR6 8Gb供給，但韓廠投片量增加及需求弱化，目前顯卡DRAM供給無虞，也因此造成第三季價格仍小跌0~5%。需求面疲弱算是導(dǎo)致本季顯卡DRAM價格不易上漲的關(guān)鍵，惟須關(guān)注原廠態(tài)度，若原廠認(rèn)為第三季價格下跌也無法刺激需求，仍會盡可能力守價格持平。

消費(fèi)端DRAM方面，由于俄烏戰(zhàn)事、高通脹等因素沖擊消費(fèi)性電子買氣，屬消費(fèi)端DRAM相關(guān)應(yīng)用的筆電、電視出貨面臨下修，加上DDR3因價格屬于相對高點(diǎn)，買方在庫存與成本壓力之下，購買力道明顯收斂，預(yù)估DDR3與DDR4需求將同步下滑，市場拉貨動能持續(xù)走弱。而韓廠對于退出DDR3供給的計劃不變，但下半年仍有中國大陸廠及臺廠新增產(chǎn)能開出。在需求走弱，供給增加的情形下，賣方的議價優(yōu)勢不再，難以支撐第三季消費(fèi)端DRAM價格，預(yù)測DDR3與DDR4價格將季減3%~8%。

03

先進(jìn)邏輯芯片與新世代存儲產(chǎn)能擴(kuò)張，特殊氣體供應(yīng)吃緊

據(jù)商業(yè)和技術(shù)資訊電子材料咨詢機(jī)構(gòu)《TECHCET》報告顯示，2021年全球電子氣體市場營收達(dá)63億美元，預(yù)計2022年再成長8%，到2026年年復(fù)合成長率高達(dá)9%。成長主因歸功于特種氣體需求，隨著領(lǐng)先邏輯晶片和新世代存儲需求不斷增加，蝕刻、沉積、真空腔室清潔及其他應(yīng)用的特種氣體需求將越來越多。

近期氦、氖等關(guān)鍵工業(yè)氣體有供應(yīng)問題，長遠(yuǎn)看隨著產(chǎn)業(yè)需求增加，三氟化氮(NF3)、六氟化鎢(WF6) 等氣體供需平衡可能逐漸改變。 另外俄烏戰(zhàn)爭使工業(yè)氣體供應(yīng)也面臨壓力，俄羅斯的氦氣和稀有氣體出口禁令將延長，造成氦和氖等稀有氣體供應(yīng)短缺。戰(zhàn)爭只是氦氣短缺問題部分原因，還有設(shè)備維護(hù)、運(yùn)輸物流、其他氦氣產(chǎn)區(qū)供應(yīng)分配等都加劇供應(yīng)鏈吃緊。

04

韓企吐槽政府太官僚，建芯片廠用時漫長

據(jù)韓媒《中央日報》報道，數(shù)名業(yè)界人士批評，韓國政府的官僚制度拖慢半導(dǎo)體建廠速度，這對競爭力來說是一大問題，因?yàn)榭焖贁U(kuò)產(chǎn)、滿足客戶需求的能力，是能否贏得訂單關(guān)鍵。

在韓國，芯片制造商獲得中央或地方政府核可后，還得取得打造芯片廠基礎(chǔ)設(shè)施的執(zhí)照，過程得拖上好幾年。臺積電去年10月意外宣布要赴日本建廠，今年4月已在熊本縣動工，而Sony Semiconductor Solutions先進(jìn)芯片制造廠也將在2024年底投產(chǎn)。

相較之下，三星電子雖早在2010年就已選定要在韓國京畿道平澤市建廠，但耗時5年才終于開工。平澤市一廠直到2017年7月才開始量產(chǎn)。即便2015年已開工，平澤市一廠依舊遇到許多阻礙，舉例來說，三星在當(dāng)?shù)亟ㄔO(shè)廠房需要的發(fā)電設(shè)施時，遭廠址附近居民群起抗議。

另外，SK海力士2019年宣布一項大規(guī)模半導(dǎo)體聚落的興建規(guī)劃后，也等了兩年才終于在2021年3月獲得龍仁市政府批準(zhǔn)。環(huán)評是拖累進(jìn)度主因，SK海力士仍在檢測周遭地區(qū)、并設(shè)法與居民達(dá)成協(xié)議。龍仁半導(dǎo)體聚落預(yù)料將在2025年興建第一座芯片廠，2027年開始運(yùn)作。

05

三星追趕臺積電，2025年量產(chǎn)2nm制程

據(jù)韓媒BusinessKorea報道，晶圓代工龍頭臺積電公布2納米制程2025年開始量產(chǎn)之后，三星為了迎頭趕上，正加碼押注3納米環(huán)繞閘極技術(shù)（GAA）技術(shù)，將在未來三年完成建立GAA技術(shù)的3納米芯片制程，并在2025年量產(chǎn)以GAA制程為基礎(chǔ)的2納米芯片，屆時兩強(qiáng)將同步以最先進(jìn)的2納米制程搶市。

GAA是改善半導(dǎo)體電晶體結(jié)構(gòu)的下一代制程技術(shù)，讓閘極能夠接觸電晶體的四個側(cè)面，相較于當(dāng)前鰭式場效電晶體（FinFET）只能接觸電晶體三個側(cè)面的情況，GAA結(jié)構(gòu)可比FinFET制程更精準(zhǔn)控制電流。三星正押注把GAA技術(shù)應(yīng)用到3納米制程，以便追趕臺積電。

專家指出，由于臺積電預(yù)料將從2納米芯片開始導(dǎo)入GAA制程，約2026年推出第一款以GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的2納米芯片產(chǎn)品，因此若三星在以GAA技術(shù)為基礎(chǔ)的3納米芯片制程良率穩(wěn)定，能夠改變晶圓代工市場全局，未來三年將是三星的關(guān)鍵期。