鞭牛士 6月29日消息,據(jù)BusinessKorea報道,三星電子將于6月30日開始批量生產(chǎn)基于全環(huán)繞柵極(GAA)技術的3納米半導體。GAA晶體管結構優(yōu)于目前的FinFET結構,因為它可以減少芯片尺寸和功耗。
如果消息屬實的話,那么三星電子將搶先臺積電和英特爾量產(chǎn)3納米芯片,后兩家公司分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。
此前,臺積電宣布稱,3納米芯片取得重大突破,將在8月份投片。而英特爾的納米芯片將在7月實現(xiàn)量產(chǎn)。