一如之前預告的那樣，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產，并且首次量產GAA晶體管工藝，技術上也是全面壓制了臺積電，后者要到2nm節(jié)點才會用上GAA工藝。
根據三星所說，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構，采用了新的GAA晶體管架構，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。
與5nm相比，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。
對于三星搶先量產3nm GAA工藝，韓國媒體及專家自己表態(tài)積極，但臺灣的分析師態(tài)度就不一樣了，工研院產科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨認為三星就是趕鴨子上架。
之所以這么評價，楊瑞臨認為GAA晶體管生態(tài)目前完全沒有成熟，相關的蝕刻及測量問題還沒有解決，材料、化學品也要提升。
此外，他不看好三星3nm GAA工藝的原因還跟成本有關，認為三星現(xiàn)在這樣做會增加成本，交付期延長，良率提升慢，品控也不見得好，進而導致三星難以對客戶報價，目前3nm GAA工藝只有三星自己在用，不會有外部的客戶使用。
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