上半年三星代工的驍龍8 Gen1可謂是口碑不佳，但是風(fēng)口不等人，3nm技術(shù)的浪潮已經(jīng)來(lái)臨。三星也正如爆料一般，在最近宣布其3nm芯片已經(jīng)成熟量產(chǎn)。那么效果到底怎么樣呢？能不能在市場(chǎng)份額上壓住臺(tái)積電呢？
首先可以肯定的是三星這次采用的GAA晶體管封裝工藝是真的有技術(shù)的，這個(gè)新技術(shù)臺(tái)積電要到2nm工藝上才會(huì)使用的，也就是說(shuō)在工藝上，三星確確實(shí)實(shí)是領(lǐng)先了臺(tái)積電。據(jù)三星方面官方宣稱，功耗上比起上一代FinFET架構(gòu)要改進(jìn)不少，能夠比5nm降低50％功率，減少35％面積，同時(shí)提升30％的性能，這么來(lái)看的話，這一代簡(jiǎn)直就是超進(jìn)化了啊！難道明年我們的手機(jī)能大幅提升性能了嗎？其實(shí)并不是這樣，三星這只不過(guò)是純純秀肌肉而已。
工研院國(guó)際研究所總監(jiān)楊瑞臨認(rèn)為，三星這就是趕鴨子上架。搶先用上新工藝固然提升很大，但是新工藝意味著需要解決新問(wèn)題，目前GAA晶體管工藝仍然不成熟，制造過(guò)程，原料采購(gòu)過(guò)程，化學(xué)品等各方面都困難重重。再則，新工藝帶來(lái)的成本增加，良品率降低都是問(wèn)題。
再來(lái)反觀國(guó)內(nèi)廠商小米，這一次小米總算打破了國(guó)外技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)了充電芯片自研閉環(huán)。咱既然沒(méi)法一步登天研發(fā)制造出先進(jìn)的手機(jī)芯片，那么像是小米這樣從周邊芯片開始一步一個(gè)腳印地前進(jìn)也是值得驕傲的。
在即將發(fā)布的小米12S Ultra上配備了澎湃P1 澎湃G1電池管理芯片，前者作為快充芯片可以更好對(duì)充電功率進(jìn)行控制，后者是首次亮相的新芯片，能夠毫秒級(jí)監(jiān)控電池，并且增強(qiáng)續(xù)航。以前這方面芯片都是美國(guó)的Ti壟斷，所以說(shuō)這次是國(guó)內(nèi)廠商的一次突破性壯舉。和三星不同，小米這兩顆芯片是實(shí)打?qū)嵖梢詫?shí)際使用的，并不是空架子。
看來(lái)雷軍是鐵了心要實(shí)現(xiàn)“未來(lái)5年研發(fā)投入預(yù)計(jì)超過(guò)1000億”這個(gè)規(guī)劃的，也希望在今后國(guó)產(chǎn)廠商能夠更快實(shí)現(xiàn)各方面芯片自研。
