“本文原創(chuàng)，禁止抄襲，違者必究”

歷時(shí)三年，中國(guó)集成電路半導(dǎo)體領(lǐng)域傳出了令人振奮的消息，眾硅科技研發(fā)出了在國(guó)際上具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的6拋光盤CMP設(shè)備，該設(shè)備被命名為眾硅TTAIS300，該消息預(yù)示著中國(guó)在光刻機(jī)領(lǐng)域又邁出了重要的一步。

中國(guó)光刻機(jī)重要一步

歷史三年，眾硅科技的研究終于取得了成果，這次研究當(dāng)中眾硅科技投入巨大，通過(guò)大力引進(jìn)行業(yè)頂尖設(shè)備，和高端人才，不斷突破現(xiàn)有的技術(shù)領(lǐng)域，創(chuàng)造核心技術(shù)，在CMP領(lǐng)域多次突破，這才有了本次的成績(jī)。

該設(shè)備相比于一些傳統(tǒng)的普通設(shè)備而言，其設(shè)計(jì)更加緊湊，制成兼容性更好，并且工藝靈活性極高，不僅提升了集成電路的生產(chǎn)效率，還對(duì)綜合運(yùn)營(yíng)成本有所降低。

作為12英寸的高端CMP設(shè)備，其相比較于傳統(tǒng)的設(shè)備而言，普遍增加了50%數(shù)量的研磨模組，通過(guò)增加研磨模組的數(shù)量，使得設(shè)備的產(chǎn)出率普遍有所提高。除此之外，CMP因?yàn)榧骖櫫硕喾N工藝優(yōu)勢(shì)的原因，在性能方面，可謂是全面超出傳統(tǒng)的設(shè)備。

目前，中硅科技已經(jīng)在國(guó)內(nèi)開始聯(lián)系合作客戶，建立合作關(guān)系，并且布局全球。

多領(lǐng)域突破

事實(shí)上，眾硅科技的突破并非是我國(guó)在繼承電路半導(dǎo)體領(lǐng)域首次獲得了跨越性突破，隨著國(guó)家對(duì)于芯片半導(dǎo)體的逐漸重視，越來(lái)越多的學(xué)校減少芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域相關(guān)的課程。與此同時(shí)，也有越來(lái)越多的企業(yè)加大在集成電路與半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究投入，使得中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的科技不僅在技術(shù)方面獲得了飛速的發(fā)展，在對(duì)自主研發(fā)也更加重視。

前段時(shí)間，南京大學(xué)在之前的研究基礎(chǔ)之上，進(jìn)一步創(chuàng)新，設(shè)計(jì)出了一種表面梯度摻雜誘導(dǎo)δn-i-p超淺結(jié)SiC二極管，并且通過(guò)一系列相關(guān)的工藝技術(shù)，成功突破了國(guó)家上現(xiàn)有的研究成果，成功實(shí)現(xiàn)了國(guó)際守支寬禁帶半導(dǎo)體pn結(jié)型EUV探測(cè)器。

與此同時(shí)，中國(guó)上海交通大學(xué)金賢敏教授的團(tuán)隊(duì)在其研究方向也取得了重大的突破，而根據(jù)報(bào)告顯示，該團(tuán)隊(duì)主要面對(duì)三維集成芯片方面的研究，本次所取得的重大突破是，該團(tuán)隊(duì)利用飛秒激光直寫技術(shù)，成功制造出了高達(dá)49*49的三維集成光量子芯片，并且該芯片組主要的特征為三維積成光量子芯片，幫企鵝幫中國(guó)成為首先掌握該技術(shù)的國(guó)家。

除了這些在某一領(lǐng)域取得重大的突破之外，我國(guó)的企業(yè)與學(xué)校以及一些研究機(jī)構(gòu)在光刻機(jī)領(lǐng)域還取得了許多巨大的進(jìn)步和成效。

目前，在中低端光刻機(jī)領(lǐng)域我國(guó)已經(jīng)取得了巨大的進(jìn)步，不僅能夠獨(dú)立完成相關(guān)設(shè)備的設(shè)計(jì)與建造，更是在成本和功能方面不斷改善。目前，哪怕是作為世界老牌的光刻機(jī)生產(chǎn)商ASML，也對(duì)中國(guó)的制造的光刻機(jī)感到新奇與壓力。

獨(dú)立研發(fā)，自主突破

對(duì)于中國(guó)繼承電力和半導(dǎo)體領(lǐng)域而言，自主研發(fā)的重要性不可言喻。只有完全自主研發(fā)，才能避免受限于人。在2000年前后，中國(guó)還沒有人認(rèn)識(shí)到美國(guó)會(huì)用怎樣無(wú)賴的行為封鎖國(guó)家的科學(xué)技術(shù)流入，直到美國(guó)限制向華為等一系列中國(guó)企業(yè)出口芯片，直到美國(guó)限制ASML自主出貨給中國(guó)，從源頭上阻止中國(guó)繼承電路和芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域的突破。

目前為止，我國(guó)正在大力倡導(dǎo)高高校開展集成電路專業(yè)，而各高校也積極反應(yīng)，在學(xué)校當(dāng)中新增加了集成電路學(xué)院，增設(shè)了相關(guān)的課程，可以方便學(xué)生進(jìn)行自主學(xué)習(xí)。另外一方面，國(guó)家也大力倡導(dǎo)企業(yè)進(jìn)行相關(guān)科技的研發(fā)，從中芯國(guó)際以及華為等一系列企業(yè)開始，還有一些研究所，也都在這方面投入了大量的資金研發(fā)。

小結(jié)：

我國(guó)在集成電路芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域當(dāng)下，已經(jīng)取得了十分重大的技術(shù)突破，甚至某些領(lǐng)域已經(jīng)掌握了全球最為先進(jìn)的相關(guān)技術(shù)，但是不可否認(rèn)的是，集成電路芯片半導(dǎo)體領(lǐng)域，我國(guó)還有很多方面落后與人，只有繼續(xù)增強(qiáng)自主研發(fā)的重視和投入，才能追趕上西方發(fā)達(dá)國(guó)家的腳步，甚至是實(shí)現(xiàn)彎道超車。不知道對(duì)于我國(guó)眾硅科技以及其他一些企業(yè)所取得的成績(jī)突破是如何看待的呢？歡迎點(diǎn)贊在評(píng)論區(qū)留言，發(fā)表您的看法。