大家都知道，隨著社會科技的高度發(fā)展，尤其在人工智能、AI和智能微型設(shè)備領(lǐng)域的快速跨越式進步，造就了原有芯片支撐體系的不足，智能持續(xù)提升底層芯片的架構(gòu)和設(shè)計、優(yōu)化芯片的綜合芯片，使得在越來越微小的高智能設(shè)備中得到充分的應(yīng)用，并支撐起它應(yīng)有的功能。

目前芯片的發(fā)展從原有了幾十納米，逐步因為設(shè)備智能為發(fā)展越來越小型化，從64nm,28nm,14nm,10nm,7nm,5nm到目前最先進的3nm芯片技術(shù)的發(fā)展。半導(dǎo)體芯片經(jīng)歷過數(shù)十個世代的更新與進步。也是人類發(fā)展的必然趨勢、是各國高科技綜合發(fā)展的體現(xiàn)。

目前因為幾十個發(fā)展先進的國家一起造就了荷蘭ASML，成為高尖端芯片發(fā)展的基礎(chǔ)力量，目前來說只有ASML光刻機技術(shù)，才能與配套的光晶體等材料制成最先進的納米芯片。

據(jù)初步了解，目前臺積電和三星等芯片制造商已經(jīng)完成了3nm芯片制造的設(shè)計與制造，甚至三星超過了臺積電成為第一個制造3nm芯片的企業(yè)，但臺積電并不甘于落后，將在今年下半年開始量產(chǎn)3nm芯片，對三星來一個反超趨勢。而且通過國外媒體了解到，臺積電的3nmm芯片早就被一些超級廠商所預(yù)定，比如高通、英特爾、賽靈思、英偉達、AMD等廠商，當然會排除華為在外了。

據(jù)臺積電CEO魏總的說法，3nm工藝的設(shè)計相對于已經(jīng)量產(chǎn)的5nm工藝而言，它將芯片的晶體管密度的制程提升了將近70%之多，而且速度和能效也都提高了15%和30%左右。這對于我國目前開始逐漸量產(chǎn)的14nm芯片簡直不可同日而語！完全沒有可比性。當然話說回來我們也可是奮起直追、目前14nm應(yīng)用領(lǐng)域也開始逐漸覆蓋我們國家發(fā)展所需的75%以上的領(lǐng)域。

前些時日有外媒報道稱，漂亮國和日本已經(jīng)開始一起組建團隊聯(lián)手研發(fā)2nm制程工藝的芯片了。從外媒分析來看主要是針對臺積電而言，不想在尖端芯片制造上太過于依賴臺積電。所以才有了幾個月前漂亮國要求臺積電和三星等其他提供他們的核心數(shù)據(jù)。甚至要求臺積電大規(guī)模投資漂亮國，甚至建立超級工廠在本地制造。

從臺積電學(xué)習(xí)技術(shù)的同時，漂亮國考慮與自己的小弟一起聯(lián)手研究來反超臺積電，研究2nm芯片來主導(dǎo)未來的半導(dǎo)體市場。這樣對于美日等高科技企業(yè)如英特爾、高通、蘋果等廠商提供了強力的發(fā)展支撐。這波操作難道是擔心臺積電以后不做漂亮國的跟屁蟲了？

甚至臺積電的CEO在股東大會上表示：半導(dǎo)體的發(fā)展不是花費多少投入、用多少人去參與研發(fā)就可以模仿出來的，是需要日積月累的制造和設(shè)計經(jīng)驗，所以臺積電根本不擔心被超越，甚至也說過內(nèi)地是獨立造不出來高尖端的芯片。不是哪一個獨立國家能研制出來的。

或許我們在ASML的光刻機上有巨大差距，想追上他們的步伐很難，超越他們更難，但我們能經(jīng)歷這么艱難的各行各業(yè)都發(fā)展起來，空間站都可以獨立建造。芯片我相信我們也能行，就算傳統(tǒng)光刻技術(shù)不行，通過中科院和華為等科研院所與企業(yè)，通過其他優(yōu)質(zhì)的方法，如量子芯片、碳基芯片或芯片疊加技術(shù)等方式進行追趕甚至反超都不是夢。

所以我們還是要努力，到時候就像漂亮國禁止我們參與空間站一樣，最后在芯片領(lǐng)域也亮瞎他們的雙眼。你們相信我們能行嗎？反正我信！