集微網(wǎng)消息，當(dāng)?shù)貢r間6月16日，據(jù)路透社報道，臺積電高管周四表示，該公司將在2024年擁有ASML下一代最先進的芯片制造工具。
報道稱，這種名為 “Hign-NA(高數(shù)值孔徑) EUV “的工具能產(chǎn)生聚焦光束，在用于手機、筆記本電腦、汽車和人工智能設(shè)備（如智能音箱）的計算芯片上創(chuàng)建微電路。其中，EUV代表極紫外光，是ASML最先進機器所使用的光波長。
圖源：路透社
“臺積電將在2024年引入Hign-NA EUV光刻機，以開發(fā)客戶所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和圖案化解決方案，并推動創(chuàng)新。”臺積電研發(fā)高級副總裁Y.J. Mii在硅谷舉行的臺積電技術(shù)研討會上表示。
不過，他沒有透露這一用于制造更小更快芯片的第二代EUV光刻機何時用于大規(guī)模生產(chǎn)。據(jù)悉，臺積電的競爭對手英特爾也已表示將在 2025 年之前使用下一代光刻機進行生產(chǎn)，并表示將率先收到該機器。
報道指出，隨著英特爾進入其他公司設(shè)計的芯片制造業(yè)務(wù)，它將與臺積電競爭這些客戶。
臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Kevin Zhang后來澄清表示，臺積電不會在2024年準(zhǔn)備使用新的High-NA EUV工具進行生產(chǎn)，將主要用于與合作伙伴進行研究。
但參加研討會的TechInsights芯片經(jīng)濟學(xué)家Dan Hutcheson說：”臺積電在 2024 年擁有它，意味著他們可以更快地獲得最先進的技術(shù)。”
“High-NA EUV是下一代科技的重大創(chuàng)新，將使芯片技術(shù)處于領(lǐng)先地位，”Hutcheson補充道。
報道稱，臺積電周四還就其2nm芯片的技術(shù)提供了更多細節(jié)，據(jù)稱該芯片有望在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。臺積電表示，該公司已經(jīng)花了15年時間開發(fā)所謂的 “納米片 （nanosheet）”晶體管技術(shù)，以提高速度和功率效率，并將在其2nm芯片中首次使用該技術(shù)。（校對/隱德萊希）
