據(jù)韓聯(lián)社6月22日消息，三星電子預(yù)計(jì)將在下周宣布大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around（GAA）技術(shù)之上。三星稱(chēng)，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，該技術(shù)將使芯片面積減少45%，同時(shí)性能提高30%，功耗降低50%。
今年5月美國(guó)總統(tǒng)拜登訪(fǎng)韓時(shí)參觀(guān)了三星的平澤工廠(chǎng)，三星向其展示了該公司的3納米芯片。
三星與臺(tái)積電在芯片制造領(lǐng)域保持激烈競(jìng)爭(zhēng)。全球最大的合約芯片制造商臺(tái)積電表示，它將在今年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片。而此前三星表示，其2納米工藝節(jié)點(diǎn)正處于早期開(kāi)發(fā)階段，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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