新浪科技援引知情人士的消息稱，國(guó)內(nèi)的閃存一哥長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢建設(shè)的第二座晶圓廠今年底投產(chǎn)，產(chǎn)能有望從目前的10萬(wàn)片晶圓/月提升到30萬(wàn)片晶圓/月，而且蘋(píng)果已經(jīng)跟長(zhǎng)存存儲(chǔ)談判了2年，最快今年也要用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存芯片。
據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)約40%的產(chǎn)量是128層3D NAND閃存，這是迄今為止中國(guó)芯片制造商生產(chǎn)的最先進(jìn)的產(chǎn)品，其余主要為64層3D NAND閃存。這要落后于三星、SK海力士和美光等全球領(lǐng)先者。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)新工廠最初將主要生產(chǎn)128層閃存，如果2023年和2024年開(kāi)發(fā)進(jìn)展順利，可能會(huì)轉(zhuǎn)向更尖端的芯片，如196層或232層3D NAND閃存
兩位知情人士稱，自去年以來(lái)蘋(píng)果公司一直在測(cè)試長(zhǎng)江存儲(chǔ)的閃存產(chǎn)品，最快可能在今年首次“限量”下單。
事實(shí)上，自2018年以來(lái)，蘋(píng)果就一直與長(zhǎng)江存儲(chǔ)談判，希望找到成本效益高的存儲(chǔ)元件。
分析師預(yù)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年的全球市場(chǎng)份額接近5%，已成為世界第六大NAND閃存制造商，僅次于三星、SK海力士、Kioxia、西部數(shù)據(jù)和美光。
新工廠的產(chǎn)能最終將達(dá)到第一座工廠的兩倍，而這兩家工廠的總產(chǎn)能將達(dá)到每月30萬(wàn)片晶圓，有助于長(zhǎng)江存儲(chǔ)將其全球市場(chǎng)份額擴(kuò)大到10%以上。
